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PNC TJ1308 95-002, 628 Pages, 1995/02
本文献集は、報告書の巻末に示した参考文献のうち特に報告書の論旨に影響するものを収録したものである。なお、参考文献リストに記載され本文献集に収録していないものは、1989年度の報告書「火山ガラス及びベントナイトの長期変質挙動に関するナチュラルアナログ研究(I)」(PNC SJ4308 89-001)、1990年度の報告書「火山ガラス及びベントナイトの長期変質挙動に関する調査」(PNC SJ-4308 90-001)、1991年度の報告書「火山ガラス及びベントナイトの長期変質挙動に関する調査」(PNC SJ-1308 92-001)、1992年度の報告書「火山ガラス及びベントナイトの長期変質挙動に関する調査」(PNC SJ-1308-93-001)そして1993年度の報告書「火山ガラス及びベントナイトの長期変質挙動に関する調査研究(VII)」(PNC SJ-1308 94-001)の文献集を参照されたい。
五月女 敦; 藤田 朝雄; 原 啓二; 納多 勝
PNC TN1410 92-054, 88 Pages, 1992/01
高レベル放射性廃棄体からの放熱によるニアフィールドの温度分布およびその経時変化を解析評価し、処分場の熱的安定性のなかで問題となる緩衝材の熱変質の観点から廃棄体の埋設密度の検討を行うために、ニアフィールドの3次元有限要素法による熱解析を実施した。さらに、ファーフィールドの温度分布および経時変化を解析評価するために、ニアフィールドの熱解析で得られた結果をもとに、処分場の規模を設定し、等価な熱源を与えたファーフィールドの軸対象有限要素法による熱解析を実施した。廃棄体の発熱条件としては、ガラス固化後の冷却のための中間貯蔵期間を30年と設定し、緩衝材の熱物性については、廃棄体の発熱により乾燥することを考慮して伝熱条件のよりきびしい値を改定して検討した。また、岩盤の熱物性については、実測されている結晶質岩と堆積岩の平均的な値を用いた。ニアフィールドおよびファーフィールドの熱解析により得られた主な結果は以下の通りである。(1)ニアフィールn 各部の温度は、廃棄体埋設直後から上昇し、10
50年後で最大となり、10,000年後にはほぼ初期地温まで低下する。(2)人工バリア材および周辺岩盤の温度は、廃棄体の埋設密度を調整することにより十分低い温度に制御することができる。(3)緩衝材の熱変質に対する許容温度を諸外国の例も参考にして約100度Cとした場合、廃棄体の埋設密度は約80100m/SUP2に一本となる。(4)処分場周辺岩盤の温度は50年後に最大約75度C程度まで上昇するが、地表面の温度はほとんど変化しないことから廃棄体の発熱による地上への影響は無視できると考えられる。
米谷 雅之; 池上 靖志; 高橋 武士; 前川 弘道
PNC TN8410 91-026, 27 Pages, 1991/02
環境技術開発部では、再処理において使用済み燃料から分離される高放射性廃液のガラス固化技術の開発を進めてきた。高放射性廃液はガラス原料とともに、ガラス溶融炉内で乾燥、仮焼され溶融ガラスになる。このとき、高放射性廃液の一部はエアロゾル粒子になりガラス溶融炉から発生する。エアロゾル粒子の環境への放出量を低減するためオフガス処理システムの開発を実施した。オフガス処理システムはサブマージド・ベッドスクラバ、ベンチュリスクラバ、吸収塔等で構成される。これら各装置のエアロゾル粒子の性能評価を、高レベル廃液ガラス固化技術開発施設(TVF)のコールドモックアップ試験設備を用いて行った。
横川 敏雄*; 前川 尚*
PNC TJ168 85-06, 27 Pages, 1985/03
酸化物ガラスにX線、電子線を照射するとガラス構造を反映していくつかの着色中心が形成される。本報告はこの着色中心の構造、生成過程に関しての基礎をなすものである。本報告ではまずガラス固化体の母体となるほうけい酸ガラスを対象に約10/SUP6Radの照射で生ずる点欠陥の光吸収スペクトルを測定し、ガラス構造ならびにガラス試料温度との関係を考察した。さらに2元系ほう酸ガラスに形成される着色中心ならびに少量ドープした塩化物イオンの存在で生ずるV 中心の生成過程についてパルスラジオリシスの手法で追跡した。測定結果は以下の点に要約できる。(1)可視部に吸収をもつ欠陥はガラス中の非架橋酸素ならびにそれと結合したNaイオンに関係するがNa/SUB2/O-B/SUB2/O/SUB3-SiO/SUB2系ガラスでは従来の熱力学的な解釈とも一致し、Na/SUB2/O/B/SUB2/O/SUB3濃度比が1以上の時にのみけい酸塩ガラス固有のSi-O/SUP-Na/SUP+構造単位から生ずる吸収が現れ、同濃度比が1以下の組成では、SiO/SUB2はもっぱらNa/SUB2/O-B/SUB2/O/SUB3 2元系を希釈する作用をしていることが認められた。(2)欠陥は照射後1 sで、すでに形成されるが試料の温度上昇とともにその濃度は減少した。300400度Cで大部分が消失した。(3)塩化物イオンを含むガラスでも照射後1 sでは母ガラスの欠陥の他にCl/SUB2/SUP-中心を形成した。なお、Cl/SUB2/SUP-中心の熱的安定度は母ガラスによる欠陥よりも大きい事が認められた。(4)ほうけい酸ガラスでは、照射による点欠陥生成よりもむしろ構造的な内在する不混和領域についての変化を検討すべきことが示唆された。
